台廠第三代半導體部隊整裝起步走 世界為首家量產8吋玩家

周康玉 2022年11月23日 13:13

第三代半導體為台廠新賽道。(顏麟宇攝)

第三代半導體之一氮化鎵(GaN)廠商主要由歐美日地區廠商掌握,供應鏈佔整體60%以上,台灣僅佔6%以下,且多集中在材料端。然在台半導體廠持續擴大在第三代半導體的投入時,已有部分的成果,以漢民集團、環球晶投入最多,晶圓代工廠世界先進亦有斬獲,台達電也透過子公司插旗,台廠在第三代半導體逐漸整裝集結部隊成軍。

世界先進耕耘GaN技術始於2018年,以Qromis基板技術(簡稱QST TM )進行八吋QST基板的0.35微米650 V GaN-on-QST製程開發,於今年第一季開發完成,於第四季成功量產,此外,世界先進同時已和海內外整合元件製造(IDM)廠及IC設計公司展開合作。

台亞(2340)亦積極佈局第三代半導體生產,昨(11/22)日法說指出,包含台亞、旗下積亞半導體在內,將投入逾30億元資本支出量產,其中台亞以矽基氮化鎵(GaN on Si)為主力,明年底小量出貨,積亞的碳化矽(SiC)預計2024年放量,挑戰第三代半導體營收佔比30%。

漢民集團的漢磊(3707)董事長徐建華日前參加成電論壇時亦表示,第三代半導體廠商主要集中在歐、美、日,其中SiC基板穩定供應是關鍵,目前碳化矽基板供應最大是Wolfspeed,市佔達6成;然而,台灣有很好的ICT基礎,在此基礎下,台灣的第三代半導體有很大的發展空間,其中,漢磊就是亞太區唯一可做SiC跟GaN代工服務的廠商。

徐建華表示,由於化合物半導體跟消費性需求不同,主要在電動車、綠能等領域,漢磊及轉投資嘉晶在氮化鎵(GaN)及碳化矽(SiC)等第三代化合物半導體目前產能滿載及供不應求,並無反轉疑慮,且未來擴產進度不變。

就連電源供應器大廠台達電也對於第三代半導體躍躍欲試,9月宣布旗下專注於第三代半導體氮化鎵(GaN)技術的子公司碇基半導體,透過增資,獲得力智電子(uPI)、中美矽晶(SAS)、日商羅姆半導體(Rohm),以及母公司台達等夥伴建立策略合作關係,共同加速GaN功率半導體技術的發展。

另台灣第三代半導體要角環球晶(6488),則同步耕耘碳化矽和氮化鎵,環球晶董事長徐秀蘭先前表示,氧化鎵在研發階段(RD level);環球晶把握自己的優勢,將公司定位在材料供應商,並不做到元件端,並且將投入長晶爐自製,預計需2年時間開發。整體而言,第三代半導體最快在今年第四季就有營收貢獻。

漢磊董事長徐建華出席成電論壇。(圖/成大電機系提供)

 



標題:台廠第三代半導體部隊整裝起步走 世界為首家量產8吋玩家

地址:https://www.antcaijing.com/article/28045.html


回頂端